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中国国产黑马跻身全球前三,破冰芯片关键技术

2021-09-08 10:19
海西商界
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放眼全球DDR内存领域,主流产品逐渐从DDR4转向DDR5,在这个重要关口国产黑马成功实现弯道超车,破冰芯片关键技术,还几乎摆脱了美国的一家专利流氓。

在2021年9月2日,中国芯片公司澜起科技在一场投资者会议中正式宣布,目前该公司已经成功打破了,关于DDR5工艺的内存接口以及模组配套芯片技术的瓶颈。

与此同时,澜起科技还预计会在2021年底进入量产爬坡阶段。值得一提的是,该公司所掌握的DDR5接口芯片领域已经处于行业领先水平。

国产黑马跻身全球前三,破冰芯片关键技术,摆脱美国专利流氓

据笔者了解,澜起科技所说的“行业领先水平”其实有些谦虚,因为现阶段全球范围内进行DDR芯片工艺研发和攻关的企业只有三家。

这三家分别是日本瑞萨电子、美国Rambus以及我国的澜起科技,如此一来,澜起科技也算是跻身全球前三。

事实上,澜起科技并非一直处于全球DDR芯片行业第一梯队,在DDR4时代到来之前,国内在这个领域长期处于被美日两国企业垄断的局面。

国产黑马跻身全球前三,破冰芯片关键技术,摆脱美国专利流氓

尤其是美国的那家公司Rambus,因为一直凭借专利优势压榨AMD、三星、英特尔、美光科技以及一众中国企业,所以被业内称之为“专利流氓”。

但随着大厂的崛起,以及DDR4时代的到来,包括澜起科技在内的中国企业逐渐拿回主动权,并且掌握了自主的内存芯片以及配套技术。

如今,澜起科技更是直接打破了困扰国产DDR5内存研发许久的技术瓶颈,让中国DDR内存市场不必再完全受制于美国Rambus。

国产黑马跻身全球前三,破冰芯片关键技术,摆脱美国专利流氓

除了对整个国产DDR内存产业来讲,澜起科技打破技术瓶颈,追上国际先进水平具有重要意义之外,对于该公司自身来讲,这同样意义非凡。

近年来全球半导体行业的高景气度,导致各大芯片细分领域迎来爆发期。作为决定内存数据访问速度的快慢,以及数据读取、存储稳定性高低的内存接口芯片,自然会得到业界的高度重视。

与此同时,全球范围内的缺芯潮仍然在持续蔓延,这也是澜起科技的一大机遇。

国产黑马跻身全球前三,破冰芯片关键技术,摆脱美国专利流氓

如今,该公司在技术方面实现重大突破,无疑会为公司业绩的提升奠定技术基础。另外,这也会在很大程度上抬高澜起科技在内存芯片领域的行业地位及影响力。

总而言之,实现DDR内存芯片的技术突破,无论是对于企业自身还是社会而言,都是一件非常有价值的事。

不过,仍然需要注意的是,虽然国内的企业在芯片设计和研发上具备一定的优势,但想要完全拿到自主权,还需要对芯片制造领域进行深度攻关。

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目前芯片制造过程中所需要的设备、原材料等,国内仍然处于被外资垄断的状态。

例如EUV光刻机,不仅被海外垄断,而且还被有关方面实施限制出口,我国企业有钱也买不进来。

由此可见,中国半导体领域想要实现独立自主,还有很长一段路要走。

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